关于Cookies 本网站已启用Cookies。请点击更多信息以获取关于本网站如何使用Cookies的详细信息。
使用本网站将视为已默认允许Cookies的使用。
更多信息

SiC

SiC | Product Groups | Products and Shop 查找
  • 全碳化硅功率模块

    赛米控以MiniSKiiP,SEMITOP和SEMITRANS封装形式提供全碳化硅功率模块。通过使用领先供应商的碳化硅 MOSFET,可以达到最大输出功率及功率密度,且开关频率高,损耗减至最低,效率提升至最高。 开关频率的增加令无源滤波器组件的需求大大减少。而功率损耗减小, 所需的散热器可以更小和冷却需求更低。此两种好处可以让系统成本大幅下降。

    可提供的全碳化硅功率模块电流为20A-500A, 电压为1200V。可带或不带反并联续流肖特基二极管。

    涵盖的拓扑结构包括经典配置的三相全桥, 同时可以分别输出以便灵活地适应您的应用。半桥和包括一个旁路二极管的升压斩波电路也供选择。

    Technical Explanations

    混合碳化硅功率模块

    赛米控提供混合碳化硅功率模块如,MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit和SKiM63/93。将最新的IGBT技术和由领先供应商所提供的SiC(碳化硅)肖特基二极管结合在一起,以提高开关频率,同时减少功率损耗。

    可提供的混合碳化硅功率模块电流为50A - 600A,电压为 1200V。涵盖三相全桥和半桥拓扑结构。

    SiC(碳化硅)肖特基续流二极管所带来的开关损耗近乎为零, 同时能大大降低IGBT的导通损耗。这些效果可以在同一个模块封装里带来更高的开关频率,它有效地降低了对如太阳能逆变器、UPS系统或高频电源的输出端的滤波要求。而且可实现比标准硅功率模块更高的输出功率。

    Technical Explanations