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IGBT/MOSFET模块

IGBT-MOSFET Modules | Product Groups | Products and Shop 查找
电流 (A)
电压 (V)
应用/拓扑
封装/型号
  • MiniSKiip

    Miniskiip运用了弹簧压接技术,Miniskiip系列中含有CIB结构的模块,这些CIB模块既稳定且集成度很高,包括整流,逆变和刹车结构,这些结构可用于驱动37KW的电机。MiniSKiiP拥有较高电流密度,它用了压接技术并且有良好的功率循环能力,MiniSKiiP系列IGBT模块是拥有高可靠性,适用范围广且高性的模块。MiniSKiiP包括了CIB结构还有三相的逆变结构,这种结构有四种封装结构,其电流范围从8A-200A,其电压等级有600V/1200V.世界上共有超过1500万MiniSKiiP模块正用在驱动以及变频器中。
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    SEMITOP

    SEMITOP家簇包括晶闸管/二极管模块和IGBT模块,CIB模块以及MOSFET模块。在热设计方面要求高,高可靠性,集成度高,以及费用低的要求的应用中,SEMITOP是最好的选择。在SEMITOP和PCB的连接方面,它有一些固定的针引脚可以焊接在PCB上,电流范围是10A-200A,而电压等级有600V/1200V。SEMITOP的压接技术和单螺丝固定方式保证了比TO封装的器件有更低的热阻Rth(j-s) ,并且它良好的机械压接保证了SEMITOP有更好的功率循环能力和更高的可靠性。IGBT/MOSFET模块可用于变频器,开关,开关电源,UPS,双PFC和DC伺服驱动。
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    SEMITRANS

    SEMITRANS系列IGBT/MOSFET模块适用于非常广泛的各种各样的应用,如开关,AC逆变驱动,DC伺服驱动以及机器人驱动,UPS,电焊机,开关磁阻电机,DC/DC ,DC斩波,刹车斩波, 模块电流范围是35-900A,电压等级有600V/1200V/1700V。
    IGBT/MOSFET模块有多种优势,如低电感封装设计,高绝缘耐压值以及广泛的客户订制化的解决方案和封装类型。

    SEMIX

    SEMIX有各种晶闸管/二极管模块,IGBT模块和整流桥。,所有的逆变单元都是紧凑的扁平化设计,且高度都统一为17mm,它采用了弹簧技术,控制单元全是无焊接接触,且每一基本单元都类似,可快速生产。SEMIX晶闸管/二极管模块的电流范围有75A-600A,电压等级有1200V/1700V。SEMIX 的IGBT模块可以用在AC/DC电机控制的输入整流桥中,且适用于开关电源,电流变频,UPS,电焊机装置中。经过可靠的测试,SEMIX 的IGBT模块被证明有极高的性价比。
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  • SKIM

    高可靠性的SKIM系列IGBT产品线是专门为汽车应用设计的。SKIM IGBT 模块的芯片用了银粉烧结技术,因此,它有非常好的功率循环能力。银粉烧结的结点是非常薄的银粉层,相对于焊接层,它的热阻要小很多,并且它的使用寿命要远高于焊接的IGBT。它的可用范围是200A-600A,650V/1200V/1700V.以上提到的特性都是因为它紧凑的,扁平化及低电感逆变设计。直接驱动提供了优化的IGBT控制能力,减少门极噪声或者宽松的连接器。因此,SKIM IGBT模块设计成高可靠性的模块,它可以适用于振动频繁,寿命长,环境温度高的汽车应用。
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